Mosfetli amplifikatör başlangıçta bir subwoofer amplifikatör olarak yapılmış, ancak bu, amplifikatörün frekans aralığının geri kalanında kötü çalıştığı anlamına gelmiyor. Tüm koşullarda oldukca iyi performans sağlayan güçlü, kaliteli bir amfi.
+-20…45VDC simetrik voltaj ile çalışan 2 çift mosfetli versiyonu ve +-20…60VDC voltaj ile çalışan 4 çift mosfetli versiyonu var.
Mosfet Amplifikatör Özellikleri (Multisim 14 devre simülasyonuna göre):
- Frekans tepkisi re 1kHz (-1dB) = 4 – 110.000Hz
- Frekans tepkisi re 1kHz (-3dB) = 2 – 200.000Hz
- Maksimum çıkış gücü (4 ohm yük, 1kHz, +/- 40VDC, 2 çift çıkış transistörü sürülürken) = 150W
- Maksimum çıkış gücü (4 ohm yük, 1kHz, +/- 40VDC, 4 çift çıkış transistörü sürülürken) = 380W
- THD+N (-1dB maksimum güçten, 1kHz, 4 ohm) = 0,006%
- Besleme voltaj aralığı (2 çift çıkış transistörü sürülürken) = +/-25VDC … +/-45VDC
- Besleme voltaj aralığı (4 çift çıkış transistörü sürülürken) = +/-25VDC … +/-60VDC
İlk test; sesi çok güzeldi mosfet farkını hissettim 🙂 fakat mosfetli bir amfinin soğutucusuz testi yanlış bir karar ayrıca sükünet akımı biraz yüksekti (80mA) sanırım üşenmeyip ayarlama yapmam gerekiyordu
Tamamlayınca yeni yazı gelecek…. şimdilik devam edelim;
Amplifikatör devresinde belirtilenler hariç dirençler 0,25 W gücündedir. Daha düşük gürültüleri nedeniyle metal film dirençleri kullanmak daha iyidir. Sinyal yoluna dahil edilen kapasitörlerin (C1 ve C5) kalitesine dikkat edilmelidir. C5 gibi polar olmayan bir elektrolit kullanmak daha iyidir (polarda olabilir).
Mosfet Amplifikatör Devre Şeması
Amplifikatör AB sınıfında çalışır ve bu nedenle oldukça ciddi bir soğutma gerektirir. Soğutucunun nitel özelliği yüzey alanı ve tabanın kalınlığıdır. 1 W ısıyı gidermek için yaklaşık 15 cm2 soğutucu alanı gerekir (alüminyum ve alaşımları için). Tabanın kalınlığı – ne kadar fazlaysa o kadar iyidir. Gerekli soğutucu alanı şu formül kullanılarak hesaplanabilir:
S = Pout * (1 – verimlilik) * 15, burada Pout amplifikatörün çıkış gücüdür. 150W’lık bir amplifikatör için minimum soğutucu alanı şu olmalıdır: S = 150 * (1 – 0,6) * 15 = 900 cm. Aktif ısı dağılımı (bir fan veya daha fazlası) kullanıldığında, soğutucu alanı azaltılabilir.
Çıkış bobini 15-20 turdan oluşur, tel kesiti 1-1,5 mm2, çapı 8 mm’dir . Bobinin doğruluğu büyük önem taşımaz.
Amplifikatörün çıkış gücü öncelikle amplifikatörün besleme voltajına bağlıdır. İki çift çıkış transistörüyle, besleme voltajını +/-45V’un (4-8 ohm hoparlör direnciyle) üzerine çıkılması kesinlikle önerilmiyor. İki çift transistör ile çıkış gücü sınırı 150W’tır. Dört çift çıkış transistörü kullanıldığında, besleme voltajını +/- 60 V’a çıkartılabilir, 4 ohm yükte çıkış gücü 380W olacaktır.
Kart üzerindeki bağlantı noktaları:
IN: Ses sinyal girişi.
sGND: Ses giriş topraklaması (sinyal kaynağından topraklama).
OUT: Amplifikatör çıkışı.
GND: Güç kaynağının topraklamasına bağlanmak için bir kontak, ikincisi amplifikatörün hoparlöre negatif çıkışı.
+/-V: Amplifikatör güç kaynağını bağlamak için.
Mosfet amplifikatörün 5 adet farklı PCB çizimi var. Benim uyguladığım ilk orjinal versiyon. Potans ekledim bir kaç düzenleme yaptım. Ayrıca sükünet akımı için 750-ohm direnç üzerine çokturlu trimpot eklendi.
Kaynak: cxem.net/sound/amps/amp206.php
