Mosfetler ve mosfetlerin sürülmesi

Mosfetler hakkında detaylı Türkçe bilgiler bulunuyor iki farklı makale var. Mosfetlerin sürülmesi konusunu hazırlayan kişi Bülent ÜNALMIŞ Emeği geçen hazırlayn kişilere teşekkürler.

Aşağıda özetler verildi birleştirilmiş dosya: mosfetler-mosfetlerin-surulmesi

MOSFET

MOSFET in anlamı, Metal Oksit Alan Etkili Transistör (Metal Oxide Field Effect Transistor) yada Geçidi Yalıtılmış Alan etkili Transistör (Isolated Gate Field Effect Transistor) dür. Kısaca, MOSFET, IGFET yada Surface Field Effect Transistör de denir.

MOSFET, JFET’ e pek çok yönden benzerlik gösterir. JFET’ de Gate Source ters polarmalanmış bir PN oluşturmaktadır. MOSFET’ de böyle değildir. MOSFET’ de gate öyle oluşturulmuşturki drain ile source arasındaki bölge üzerine silikon dioksit ve onun üzerine de gate elektrodu (metal plaka) konularak yapılmıştır. Böylece gate metal elektrodu ile drain ve source arasına bir yalıtkan konulmuş olur.

Buradaki yalıkan silikon dioksit dir. Bütün oksitler iyi birer yalıtkandır. Hatırlarsanız, oksitlenmiş kontaklardan elektrik akımı geçmez ve biz de oksitlenmiş yerleri temizleriz. Metal oksit ve yarı iletken ile bir Gate oluşturur ve MOSFET adının oluşmasını sağlar. Bu nedenle gate gerilimine JFET’ de olduğu gibi bir sınırlandırma konulmamıştır. Tabi bu teoriktir. Gate yalıtkanı o kadar incedir ki eğer bir koruma yoksa vücudumuzdaki gerilim bile bu yalıtkanı delmeye yeter.

Ayrıca bu yalıtkan yüzünden gate akımı neredeyse hiç yoktur ve giriş empedansı çok yüksektir. Tipik olarak gate akımı 10 -14 A (0,01piko amper) ve 10-14 ohm (10.000 Giga ohm). Yukarda belirttiğim gibi gate geriliminin sınırlı olmaması ayrıca MOSFET’ de iki durumda çalışma olanağı sağlar. Bunlar “Arttırılmış – Enhancement” ve “Azaltıcı – Depletion” çalışma şekilleridir. Enhancemen tipi bir MOSFET’ in iç yapısı ve sembolleri aşağıdaki şekilde görülmektedir.

MOSFET’lerin sürülmesi

Güç Elektroniği bunalmis bildirdi: “Mos transistorlerin giriş empedansı gerçekten çok mu büyük.Güç elektroniğinde kullanılan Moslar için; Bazı kitaplarda ve tartışmalarda “Mos transistorlerin giriş empedansı çok büyüktür” şeklinde yanlış bir ifade kullanılır.

Burada yanlış olan giriş empedans kavramının giriş direnci ile karıştırılmasından kaynaklanır. Zira empedans alternatif akıma gösterilen zorluk ikeni direnc akıma gösterilen zorluk demektir. Giriş direnci 10Mohm olan bir düzenek, pek ala 1Khz de 100Ohm gibi empedans gosterebilir. Ancak giriş direnci gerçekten de 10Mohmdur.

Bu yanılgıdan dolayı da yeni başlayanlar Mosların çok kolay sürülebileceği sonucuna varırlar.

Moslar ne zaman kolay sürülür?Bir ampullu (ıstediğiniz kadar güçlü olsun) uzun aralıklarda
(1 kaç saniye gibi) yakıp söndüren bir devre yapacaksanız Mos ideal anahtar vazifesi görecektir ve çok kolay sürülür. Bunun için mosun Gate – Source uclarına eşik değerinin biraz üzerinde voltaj vermek / kesmek yeterli olacaktır ve kumanda sinyalini, gate ucuna seri 1Mohm direnç üzerinden bile verebilirsiniz.